在全球半导体行业竞争加剧的背景下，中国的GaN（氮化镓）技术正迎来迅猛发展。近日，国内知名GaN芯片制造商英诺赛科在与美国寒武纪技术公司Efficient Power Conversion Corporation（EPC）的专利战争中取得了一项重要胜利。2025年3月18日，美国专利商标局（USPTO）做出裁决，宣告EPC针对英诺赛科的US'294号专利无效，从而为英诺赛科在这场长达两年的法律纠纷中奠定了胜局。
专利诉讼背景
事件的起因可以追溯到2023年，EPC针对英诺赛科提起了专利侵权诉讼，声称后者侵犯了其四项专利权，并要求法院禁止英诺赛科出售相关产品。EPC是一家专注于GaN技术的美国公司，其产品广泛应用于高效电源转换和电动汽车等领域。作为中国GaN芯片的领头羊，英诺赛科自成立以来，一直致力于推进GaN技术的应用与研发，其产品包括高低压氮化镓电源IC、功率半导体等。
在这场法律斗争中，EPC重点提出了US'294号专利，声称该专利覆盖了创新的GaN技术，并指控英诺赛科的产品侵权。英诺赛科对此坚决反对，认为EPC的指控毫无根据，并对US'294号专利的有效性提出质疑，认为其实际上只是对广泛应用的技术进行了简单的修改和重新包装。
美国专利局裁定结果
经过长达数月的法律审理和调查，美国专利局在2025年3月18日对US'294号专利做出了无效裁定。此裁定强调，该专利的所有权利要求均被判定为无效，因为它们依赖的技术概念不仅存在于现有的技术文献中，而且广泛被行业使用。因此，EPC对英诺赛科的指控缺乏法律基础，这一结果为英诺赛科在法律战中划上了一个圆满的句号。
英诺赛科在相关公告中表示：“这一胜利并不仅仅是公司自身的成功，更是中国GaN产业向前迈出的重要一步。我们坚信，技术创新应该得到保护，而不应该被不公正的市场行为所限制。”
对中国GaN产业的影响
此次裁定为中国GaN产业注入了信心，也为其他企业在技术研发和市场竞争中指明了方向。随着全球对绿色能源和高效电力解决方案的需求不断上升，GaN技术凭借其高效率和优越性能，正成为国际市场的热门选择。英诺赛科的胜利将在一定程度上激励更多中国企业在GaN领域的创新与竞争，推动整体产业的健康发展。
在政策层面，国家对于半导体产业的支持力度不断加大，特别是在关键核心技术和自主知识产权的保护上，企业需要把握良机，加强技术研发投入，形成更多具有自主知识产权的产品，进一步提升国内半导体产业的竞争力。
未来展望
面对日益激烈的国际竞争，英诺赛科将在后续的发展中继续强化其在GaN技术领域的研发投入，推动产品创新，以应对未来市场的变化。同时，英诺赛科的成功案例或将成为其他国内企业的借鉴，促进整个行业在知识产权领域的重视程度。
作为中国GaN行业的领军企业，英诺赛科计划在未来几年内不断拓展市场，特别是在电动汽车窗口以及可再生能源的整合应用领域。随着技术的逐步成熟和应用领域的不断扩展，英诺赛科有望成为全球GaN行业中的重要参与者，为推动全球绿色能源转型贡献力量。
而言，英诺赛科在与EPC的专利战中胜诉的消息标志着中国GaN产业发展的新里程碑，也是对中国企业在国际市场竞争中的自信与信心的体现。在未来，期待看到更多国内企业在技术创新和市场开拓上取得的丰硕成果。